Número de Producto del Fabricante:
IPA80R1K4P7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventario:
112 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804051
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA80R1K4P7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 700µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
250 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-31
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA80R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPA80R1K4P7XKSA1
SP001422546
ROCINFIPA80R1K4P7XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
