Número de Producto del Fabricante:
IPA95R750P7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA95R750P7XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 950V 9A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 950 V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
12802612
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPA95R750P7XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
950 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 220µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
712 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA95R750
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP001792304
448-IPA95R750P7XKSA1
IPA95R750P7XKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF3710SPBF
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
AUIRLR3636
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
BSO065N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
