Número de Producto del Fabricante:
IPB024N10N5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB024N10N5ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventario:
468 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800322
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPB024N10N5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.8V @ 183µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
138 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10200 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número de producto base
IPB024
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP001482034
448-IPB024N10N5ATMA1DKR
IPB024N10N5ATMA1-DG
448-IPB024N10N5ATMA1TR
448-IPB024N10N5ATMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
BUZ30AHXKSA1
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
BSO201SPHXUMA1
MOSFET P-CH 20V 12A 8DSO
IPB017N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
