IPB029N06N3GE8187ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB029N06N3GE8187ATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventario:

12803226
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IPB029N06N3GE8187ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 118µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB029

Hoja de Datos y Documentos

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB029N06N3 G E8187-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR
SP000939334
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
2156-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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