IPB036N12N3GATMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPB036N12N3GATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPB036N12N3GATMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

Inventario:

1060 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800604
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IPB036N12N3GATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
180A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-7
Paquete / Caja
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número de producto base
IPB036

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB036N12N3 GDKR-DG
SP000675204
IPB036N12N3 G
IPB036N12N3 GTR
IPB036N12N3 GTR-DG
IPB036N12N3 G-DG
IPB036N12N3 GCT
IPB036N12N3GATMA1DKR
IPB036N12N3 GCT-DG
IPB036N12N3GATMA1CT
IPB036N12N3GATMA1TR
IPB036N12N3 GDKR
IPB036N12N3G

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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