Número de Producto del Fabricante:
IPB083N15N5LFATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 105A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
12803929
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ENVIAR
IPB083N15N5LFATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
105A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.9V @ 134µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
210 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB083
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB083N15N5LFATMA1TR
IPB083N15N5LFATMA1DKR
SP001503862
2156-IPB083N15N5LFATMA1
IFEINFIPB083N15N5LFATMA1
IPB083N15N5LFATMA1CT
IPB083N15N5LFATMA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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