Número de Producto del Fabricante:
IPB200N15N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPB200N15N3GATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
1774 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800961
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ENVIAR
IPB200N15N3GATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
50A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IPB200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
IPB200N15N3GATMA1DKR
IPB200N15N3GATMA1CT
IPB200N15N3 GCT-DG
IPB200N15N3 G
IPB200N15N3 GDKR
IPB200N15N3 GCT
IPB200N15N3 GTR-DG
IPB200N15N3G
IPB200N15N3 GTR
IPB200N15N3GATMA1TR
IPB200N15N3 G-DG
SP000414740
IPB200N15N3 GDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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