Número de Producto del Fabricante:
IPD30N12S3L31ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL_100+
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 30A (Tc) 57W Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
1002 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804543
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ENVIAR
IPD30N12S3L31ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS®-T
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
31mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 29µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1970 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
57W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD30N12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
448-IPD30N12S3L31ATMA1CT
448-IPD30N12S3L31ATMA1DKR
448-IPD30N12S3L31ATMA1TR
IPD30N12S3L31ATMA1-DG
SP001398654
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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