Número de Producto del Fabricante:
IPD320N20N3GBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD320N20N3GBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12804147
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ENVIAR
IPD320N20N3GBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
34A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
32mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2350 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD320N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD320N20N3 GTR-DG
IPD320N20N3GBTMA1DKR
SP000677838
IPD320N20N3 GDKR-DG
IPD320N20N3 GDKR
IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3G
IPD320N20N3GBTMA1TR
IPD320N20N3 G-DG
IPD320N20N3 GTR
IPD320N20N3 G
IPD320N20N3GBTMA1CT
IPD320N20N3 GCT-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD320N20N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
3373
NÚMERO DE PIEZA
IPD320N20N3GATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.39
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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