Número de Producto del Fabricante:
IPD50R800CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD50R800CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12799696
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ENVIAR
IPD50R800CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 130µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD50R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD50R800CEATMA1-DG
SP001117710
IPD50R800CEATMA1TR
IPD50R800CEATMA1CT
IPD50R800CEATMA1DKR
ROCINFIPD50R800CEATMA1
2156-IPD50R800CEATMA1-ITTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD8NM50N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
1231
NÚMERO DE PIEZA
STD8NM50N-DG
PRECIO UNITARIO
0.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD50R800CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5199
NÚMERO DE PIEZA
IPD50R800CEAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.23
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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