Número de Producto del Fabricante:
IPD60R2K1CEBTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R2K1CEBTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12801317
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ENVIAR
IPD60R2K1CEBTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 60µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
22W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD60R2K1CEBTMA1CT
SP001276038
IPD60R2K1CEBTMA1DKR
IPD60R2K1CEBTMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPD60R2K1CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
10286
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R2K1CEAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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