Número de Producto del Fabricante:
IPD60R400CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD60R400CEAUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 14.7A (Tc) 112W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Inventario:
14883 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800875
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ENVIAR
IPD60R400CEAUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 300µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
112W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-2
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IPD60R400CEAUMA1-DG
2156-IPD60R400CEAUMA1
IPD60R400CEAUMA1DKR
IPD60R400CEAUMA1CT
IPD60R400CEAUMA1TR
INFINFIPD60R400CEAUMA1
SP001396880
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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