Número de Producto del Fabricante:
IPD65R600C6ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD65R600C6ATMA1-DG
Descripción:
LOW POWER_LEGACY
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventario:
12804159
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ENVIAR
IPD65R600C6ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 210µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-313
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP001121530
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STD10N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
6542
NÚMERO DE PIEZA
STD10N60M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.53
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD60R600P7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
4810
NÚMERO DE PIEZA
IPD60R600P7ATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.43
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
TK7P60W,RVQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1994
NÚMERO DE PIEZA
TK7P60W,RVQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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