Número de Producto del Fabricante:
IPD65R650CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD65R650CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12805721
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ENVIAR
IPD65R650CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 210µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP001295798
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK7P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
1403
NÚMERO DE PIEZA
TK7P65W,RQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTY4N65X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
70
NÚMERO DE PIEZA
IXTY4N65X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.07
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IPD65R650CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2270
NÚMERO DE PIEZA
IPD65R650CEAUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.33
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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