Número de Producto del Fabricante:
IPD80R3K3P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD80R3K3P7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
5000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803311
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPD80R3K3P7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 30µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD80R3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
IFEINFIPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1DKR
2156-IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1TR
IPD80R3K3P7ATMA1CT
SP001636440
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
IRF7424PBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
IPC60R520E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE