Número de Producto del Fabricante:
IPD90P03P4L04ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPD90P03P4L04ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3
Descripción Detallada:
P-Channel 30 V 90A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
12804096
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ENVIAR
IPD90P03P4L04ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 253µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11300 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
137W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IPD90
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
SP000396300
IPD90P03P4L-04
IPD90P03P4L-04INTR-DG
IPD90P03P4L-04INTR
IPD90P03P4L04ATMA1TR
IPD90P03P4L-04INCT-DG
IPD90P03P4L04
IPD90P03P4L-04INDKR-DG
IPD90P03P4L-04INDKR
IPD90P03P4L-04-DG
IPD90P03P4L-04INCT
IPD90P03P4L04ATMA1CT
IPD90P03P4L04ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
PJD100P03_L2_00001
FABRICANTE
Panjit International Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
PJD100P03_L2_00001-DG
PRECIO UNITARIO
0.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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