Número de Producto del Fabricante:
IPDD60R190G7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPDD60R190G7XTMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 13A HDSOP-10
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 76W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventario:
167 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800915
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPDD60R190G7XTMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
190mOhm @ 4.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 210µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
718 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
76W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-10-1
Paquete / Caja
10-PowerSOP Module
Número de producto base
IPDD60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,700
Otros nombres
IPDD60R190G7XTMA1DKR
SP001632844
IPDD60R190G7XTMA1TR
2156-IPDD60R190G7XTMA1-448
IPDD60R190G7XTMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB06N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPI50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3