Número de Producto del Fabricante:
IPG16N10S461ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPG16N10S461ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventario:
14612 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803204
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ENVIAR
IPG16N10S461ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16A
rds activados (máx.) @ id, vgs
61mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 9µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
490pF @ 25V
Potencia - Máx.
29W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Calificación
AEC-Q101
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-4
Número de producto base
IPG16N10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
IPG16N10S461ATMA1-DG
IPG16N10S461ATMA1TR
IPG16N10S461ATMA1CT
INFINFIPG16N10S461ATMA1
IPG16N10S461ATMA1DKR
2156-IPG16N10S461ATMA1
SP000892972
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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