IPG20N06S3L-35
Número de Producto del Fabricante:

IPG20N06S3L-35

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPG20N06S3L-35-DG

Descripción:

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descripción Detallada:
Mosfet Array 55V 20A 30W Surface Mount PG-TDSON-8-4

Inventario:

12802648
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ENVIAR

IPG20N06S3L-35 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A
rds activados (máx.) @ id, vgs
35mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 15µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1730pF @ 25V
Potencia - Máx.
30W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8-4
Número de producto base
IPG20N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
2156-IPG20N06S3L-35-ITTR
INFINFIPG20N06S3L-35
SP000396306

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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