Número de Producto del Fabricante:
IPI041N12N3GAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI041N12N3GAKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
494 Pcs Nuevos Originales En Stock
12799957
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ENVIAR
IPI041N12N3GAKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
120 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 270µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 60 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI041
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IPI041N12N3GAKSA1-DG
SP000652748
IPI041N12N3 G
IPI041N12N3G
IPI041N12N3 G-DG
448-IPI041N12N3GAKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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