Número de Producto del Fabricante:
IPI50R399CPXKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI50R399CPXKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12805257
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ENVIAR
IPI50R399CPXKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
399mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 330µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
890 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI50R399
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI50R399CP-DG
IPI50R399CP
SP001109552
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
AOW360A70
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
AOW360A70-DG
PRECIO UNITARIO
0.91
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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