Número de Producto del Fabricante:
IPI80N06S3L-08
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI80N06S3L-08-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 105W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventario:
12801146
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPI80N06S3L-08 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 55µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6475 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
IPI80N06S3L08X
IFEINFIPI80N06S3L-08
IPI80N06S3L-08-DG
IPI80N06S3L-08IN
SP000088131
IPI80N06S3L08XK
2156-IPI80N06S3L-08-IT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
TP0606N3-G-P002
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
IPB45N06S4L08ATMA3
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
