Número de Producto del Fabricante:
IPI90R500C3XKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPI90R500C3XKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 900V 11A TO262-3
Descripción Detallada:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventario:
195 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801214
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ENVIAR
IPI90R500C3XKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
900 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 740µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1700 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO262-3-1
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número de producto base
IPI90R500
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
448-IPI90R500C3XKSA2
SP002548886
IPI90R500C3XKSA2-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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