Número de Producto del Fabricante:
IPL60R065C7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL60R065C7AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET HIGH POWER_NEW
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4-1
Inventario:
2100 Pcs Nuevos Originales En Stock
12806053
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ENVIAR
IPL60R065C7AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ C7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
29A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
65mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 800µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4-1
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL60R065
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
2156-IPL60R065C7AUMA1TR
IPL60R065C7AUMA1-DG
SP001385034
448-IPL60R065C7AUMA1TR
448-IPL60R065C7AUMA1DKR
448-IPL60R065C7AUMA1CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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