Número de Producto del Fabricante:
IPL60R125P7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL60R125P7AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 27A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 27A (Tc) 111W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
5537 Pcs Nuevos Originales En Stock
12803657
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPL60R125P7AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 8.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 410µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1544 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
111W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IPL60R125P7AUMA1CT
IPL60R125P7AUMA1-DG
IPL60R125P7
SP001657416
IPL60R125P7AUMA1DKR
IPL60R125P7AUMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF3708PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
IRF1405STRRPBF
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK
IPI65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO262-3
