Número de Producto del Fabricante:
IPL60R285P7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL60R285P7AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
12804801
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ENVIAR
IPL60R285P7AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
285mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 190µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
761 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL60R285
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP001657424
IPL60R285P7AUMA1-DG
IPL60R285P7AUMA1TR
IPL60R285P7AUMA1CT
IPL60R285P7AUMA1DKR
IPL60R285P7
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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