Número de Producto del Fabricante:
IPL65R660E6AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPL65R660E6AUMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 7A THIN-PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventario:
12801359
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ENVIAR
IPL65R660E6AUMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ E6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 200µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
IPL65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SP000895212
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2A (4 Weeks)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPL60R185P7AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
5980
NÚMERO DE PIEZA
IPL60R185P7AUMA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.15
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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