Número de Producto del Fabricante:
IPN65R1K5CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPN65R1K5CEATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventario:
13064052
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ENVIAR
IPN65R1K5CEATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN65R1
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IPN65R1K5CEATMA1DKR
IPN65R1K5CEATMA1TR
IPN65R1K5CEATMA1CT
2156-IPN65R1K5CEATMA1TR
SP001461234
IPN65R1K5CEATMA1-ND
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPN70R1K4P7SATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
7808
NÚMERO DE PIEZA
IPN70R1K4P7SATMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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