Número de Producto del Fabricante:
IPN95R3K7P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPN95R3K7P7ATMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 950 V 2A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventario:
13762 Pcs Nuevos Originales En Stock
12802721
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ENVIAR
IPN95R3K7P7ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
950 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 40µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
196 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-SOT223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
IPN95R3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IPN95R3K7P7ATMA1CT
IPN95R3K7P7ATMA1TR
SP001792330
IPN95R3K7P7ATMA1DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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