Número de Producto del Fabricante:
IPP04CN10NGXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP04CN10NGXKSA1-DG
Descripción:
MV POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
12803860
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP04CN10NGXKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™ 2
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13800 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP04CN10
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
448-IPP04CN10NGXKSA1
IPP04CN10NGXKSA1-DG
SP000680796
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP039N10N5XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPP039N10N5XKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.14
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
IPAW60R190CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220
IPD035N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R400CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.3A TO220-FP
