Número de Producto del Fabricante:
IPP330P10NMAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP330P10NMAKSA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V PG-TO220-3
Descripción Detallada:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
438 Pcs Nuevos Originales En Stock
12973589
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IPP330P10NMAKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
33mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 5.55mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP330P
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
SP005343871
448-IPP330P10NMAKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
PJQ4407P_R1_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
MCAC75N02-TP
MOSFET N-CH DFN5060
RV5C040APTCR1
MOSFET P-CH 20V 4A DFN1616-6
