Número de Producto del Fabricante:
IPP80N06S2L11AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPP80N06S2L11AKSA2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
12805924
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ENVIAR
IPP80N06S2L11AKSA2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2V @ 93µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2075 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
158W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IPP80N
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
INFINFIPP80N06S2L11AKSA2
2156-IPP80N06S2L11AKSA2
SP001061296
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPP80N06S2L07AKSA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
204
NÚMERO DE PIEZA
IPP80N06S2L07AKSA2-DG
PRECIO UNITARIO
1.98
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
AOT470
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
AOT470-DG
PRECIO UNITARIO
0.64
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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