IPQC65R017CFD7XTMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPQC65R017CFD7XTMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPQC65R017CFD7XTMA1-DG

Descripción:

HIGH POWER_NEW
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 136A (Tc) 694W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22

Inventario:

13373442
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IPQC65R017CFD7XTMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
136A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 61.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 3.08mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12338 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
694W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HDSOP-22
Paquete / Caja
22-PowerBSOP Module
Número de producto base
IPDQ65

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Información Adicional

Paquete Estándar
750
Otros nombres
448-IPQC65R017CFD7XTMA1TR
SP005568024

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
IPQC65R017CFD7AXTMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPQC65R017CFD7AXTMA1-DG
PRECIO UNITARIO
13.09
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
NÚMERO DE PARTE
IPDQ65R017CFD7XTMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPDQ65R017CFD7XTMA1-DG
PRECIO UNITARIO
13.19
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Parametric Equivalent
Certificación DIGI
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