Número de Producto del Fabricante:
IPS031N03LGAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS031N03LGAKMA1-DG
Descripción:
LV POWER MOS
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventario:
12822926
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ENVIAR
IPS031N03LGAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™ 3
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
90A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5300 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-11
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
INFINFIPS031N03LGAKMA1
2156-IPS031N03LGAKMA1-IT
SP000788214
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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