IPS090N03LGAKMA1
Número de Producto del Fabricante:

IPS090N03LGAKMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPS090N03LGAKMA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11

Inventario:

12803098
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IPS090N03LGAKMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
OptiMOS™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
40A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1600 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3-11
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
IPS090N03LGIN-DG
IPS090N03L G
IPS090N03LGXK
IPS090N03LGIN
2156-IPS090N03LGAKMA1-IT
INFINFIPS090N03LGAKMA1
SP000788216

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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