Número de Producto del Fabricante:
IPS65R1K5CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS65R1K5CEAKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 3.1A TO251
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251
Inventario:
12803450
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ENVIAR
IPS65R1K5CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-251
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
IPS65R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
SP001276050
ROCINFIPS65R1K5CEAKMA1
2156-IPS65R1K5CEAKMA1-IT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPS70R1K4P7SAKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
PRECIO UNITARIO
0.18
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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