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Número de Producto del Fabricante:
IPS65R400CEAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPS65R400CEAKMA1-DG
Descripción:
CONSUMER
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 15.1A (Tc) 118W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12801551
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ENVIAR
IPS65R400CEAKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
15.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
400mOhm @ 3.2435A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 320µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
118W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPS65R400
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IPS65R400CEAKMA1
Hoja de datos HTML
IPS65R400CEAKMA1-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
INFINFIPS65R400CEAKMA1
SP001422890
2156-IPS65R400CEAKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TSM70N380CH C5G
FABRICANTE
Taiwan Semiconductor Corporation
CANTIDAD DISPONIBLE
695
NÚMERO DE PIEZA
TSM70N380CH C5G-DG
PRECIO UNITARIO
1.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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