Número de Producto del Fabricante:
IPTG063N15NM5ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPTG063N15NM5ATMA1-DG
Descripción:
TRENCH >=100V
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 16.2A (Ta), 122A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8
Inventario:
1786 Pcs Nuevos Originales En Stock
12988755
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ENVIAR
IPTG063N15NM5ATMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
16.2A (Ta), 122A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
8V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.6V @ 163µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 75 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.8W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-HSOG-8
Paquete / Caja
8-PowerSMD, Gull Wing
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
1,800
Otros nombres
448-IPTG063N15NM5ATMA1CT
448-IPTG063N15NM5ATMA1DKR
SP005676956
448-IPTG063N15NM5ATMA1TR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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