Número de Producto del Fabricante:
IPU50R3K0CEBKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU50R3K0CEBKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12806776
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ENVIAR
IPU50R3K0CEBKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 30µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
84 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
18W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU50R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
2156-IPU50R3K0CEBKMA1-IT
INFINFIPU50R3K0CEBKMA1
SP001022960
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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