Número de Producto del Fabricante:
IPU50R950CEBKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU50R950CEBKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12807396
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ENVIAR
IPU50R950CEBKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
13V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 100µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
231 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU50R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
IFEINFIPU50R950CEBKMA1
-IPU50R950CE
2156-IPU50R950CEBKMA1
SP001022956
IPU50R950CE-DG
IPU50R950CE
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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