Número de Producto del Fabricante:
IPU60R1K4C6AKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU60R1K4C6AKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12804889
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ENVIAR
IPU60R1K4C6AKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
CoolMOS™ C6
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 90µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
200 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
28.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU60R
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
2156-IPU60R1K4C6AKMA1
SP001292874
IFEINFIPU60R1K4C6AKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STU6N65M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
543
NÚMERO DE PIEZA
STU6N65M2-DG
PRECIO UNITARIO
0.44
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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