Número de Producto del Fabricante:
IPU80R2K0P7AKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPU80R2K0P7AKMA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12803558
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ENVIAR
IPU80R2K0P7AKMA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
175 pF @ 500 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO251-3
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Número de producto base
IPU80R2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
1,500
Otros nombres
IFEINFIPU80R2K0P7AKMA1
SP001634912
2156-IPU80R2K0P7AKMA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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