IPW60R060P7XKSA1
Número de Producto del Fabricante:

IPW60R060P7XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPW60R060P7XKSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventario:

60 Pcs Nuevos Originales En Stock
12818659
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPW60R060P7XKSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 800µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2895 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
164W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW60R060

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
2156-IPW60R060P7XKSA1
ROCINFIPW60R060P7XKSA1
SP001647042

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRFR18N15DTRLP

MOSFET N-CH 150V 18A DPAK

infineon-technologies

IRF6648TR1PBF

MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN

infineon-technologies

IRF9520NPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB

infineon-technologies

IRFS38N20DTRRP

MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK