IPW60R099C6FKSA1
Número de Producto del Fabricante:

IPW60R099C6FKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPW60R099C6FKSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventario:

678 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805781
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPW60R099C6FKSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 18.1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 1.21mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
119 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2660 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-1
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW60R099

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
IPW60R099C6
2156-IPW60R099C6FKSA1
SP000641908
IPW60R099C6-DG
IPW60R099C6FKSA1-DG
448-IPW60R099C6FKSA1

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
STW48N60DM2
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
590
NÚMERO DE PIEZA
STW48N60DM2-DG
PRECIO UNITARIO
3.88
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
NÚMERO DE PARTE
STW34NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
300
NÚMERO DE PIEZA
STW34NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
5.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
R6046FNZ1C9
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
278
NÚMERO DE PIEZA
R6046FNZ1C9-DG
PRECIO UNITARIO
7.52
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW38N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
STW38N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
3.55
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXFX48N60P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFX48N60P-DG
PRECIO UNITARIO
11.94
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRLML6244TRPBF

MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23

infineon-technologies

IPD65R600E6BTMA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

infineon-technologies

IRF7406TRPBF

MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO

infineon-technologies

IRFH7110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN