IPW60R125C6FKSA1
Número de Producto del Fabricante:

IPW60R125C6FKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IPW60R125C6FKSA1-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventario:

270 Pcs Nuevos Originales En Stock
12801456
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IPW60R125C6FKSA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3.5V @ 960µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2127 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
219W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3-1
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW60R125

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30
Otros nombres
IPW60R125C6FKSA1-DG
IPW60R125C6
SP000641912
2156-IPW60R125C6FKSA1
448-IPW60R125C6FKSA1
IPW60R125C6-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DE PARTE
TK25N60X,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
TK25N60X,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
2.01
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW34NM60N
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
300
NÚMERO DE PIEZA
STW34NM60N-DG
PRECIO UNITARIO
5.32
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTH30N60L2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
475
NÚMERO DE PIEZA
IXTH30N60L2-DG
PRECIO UNITARIO
12.61
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW30N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
573
NÚMERO DE PIEZA
STW30N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
3.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXKH35N60C5
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
117
NÚMERO DE PIEZA
IXKH35N60C5-DG
PRECIO UNITARIO
6.79
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IPL60R185C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON

infineon-technologies

IPP052N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPB80N04S304ATMA1

MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPD80R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3