Número de Producto del Fabricante:
IPW60R125P6XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPW60R125P6XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
12804111
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ENVIAR
IPW60R125P6XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 960µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2660 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
219W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO247-3
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IPW60R125
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
ROCINFIPW60R125P6XKSA1
SP001114656
2156-IPW60R125P6XKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
TK28N65W,S1F
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTIDAD DISPONIBLE
30
NÚMERO DE PIEZA
TK28N65W,S1F-DG
PRECIO UNITARIO
2.69
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
STW30N65M5
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
573
NÚMERO DE PIEZA
STW30N65M5-DG
PRECIO UNITARIO
3.03
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
NÚMERO DE PARTE
IXTH32N65X
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTH32N65X-DG
PRECIO UNITARIO
5.96
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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