Número de Producto del Fabricante:
IRF135S203
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF135S203-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 135V 129A TO263-3
Descripción Detallada:
N-Channel 135 V 129A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
429 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805689
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ENVIAR
IRF135S203 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
135 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
129A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 77A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9700 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
441W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF135
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
IRF135S203TR
SP001570032
IRF135S203-DG
IRF135S203DKR
IRF135S203CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDB075N15A
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
5162
NÚMERO DE PIEZA
FDB075N15A-DG
PRECIO UNITARIO
2.47
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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