Número de Producto del Fabricante:
IRF3205ZPBFAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF3205ZPBFAKSA1-DG
Descripción:
TRENCH 40<-<100V
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-904
Inventario:
13269512
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ENVIAR
IRF3205ZPBFAKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
75A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-3-904
Paquete / Caja
TO-220-3
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
SP005724919
448-IRF3205ZPBFAKSA1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certificación DIGI
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