IRF5805

Número de Producto del Fabricante:

IRF5805

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF5805-DG

Descripción:

MOSFET P-CH 30V 3.8A MICRO6

Descripción Detallada:

P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Inventario:

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12822805

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IRF5805 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalaje

-

Serie

HEXFET®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

3.8A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

98mOhm @ 3.8A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

17 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

511 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

2W (Ta)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

Micro6™(TSOP-6)

Paquete / Caja

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

100

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

RoHS non-compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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