Número de Producto del Fabricante:
IRF5852TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF5852TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 2.7A 960mW Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
12804477
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ENVIAR
IRF5852TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
-
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.25V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
400pF @ 15V
Potencia - Máx.
960mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete de dispositivos del proveedor
6-TSOP
Número de producto base
IRF58
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRF5852TRPBF-DG
IRF5852TRPBFCT
SP001554076
IRF5852TRPBFDKR
IRF5852TRPBFTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
2 (1 Year)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
FDC6305N
FABRICANTE
onsemi
CANTIDAD DISPONIBLE
19890
NÚMERO DE PIEZA
FDC6305N-DG
PRECIO UNITARIO
0.17
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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